寬能隙（Wide Bandgap）氮化鎵半導(dǎo)體（GaN）及其相關(guān)化合物半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于照明和各種光電元件。氮化鎵發(fā)光二極體（GaN led）發(fā)光波長(zhǎng)的未來，發(fā)光波長(zhǎng)將完全取代傳統(tǒng)的白熾燈泡和熒光燈作為照明光源。

另一個(gè)潛在的光電元件是微光電陣列元件（Micro Optoelectronic Device），這個(gè)組件集成成千上萬像發(fā)光體（Emitter）、偵測(cè)器（Detector）、光學(xué)開關(guān)（OpTIcal Switch）或光波導(dǎo)（OpTIcal Waveguide）在單晶片上等待微型元件。工業(yè)研究院預(yù)計(jì)未來微光電陣列元件將顯示和生醫(yī)感知（Biosensor）、光通信或光纖通信，光互連 （Interconnect）及訊號(hào)處理（Signal Process）在該領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

微發(fā)光二極體陣列（Micro LED Array）以定址驅(qū)動(dòng)技術(shù)為顯示器，除了具有LED其自發(fā)光顯示-無背光源，具有節(jié)能、機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、反應(yīng)時(shí)間快等優(yōu)點(diǎn)。Micro LED與同樣是自發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極體相比（OLED）材料穩(wěn)定性好，使用壽命長(zhǎng)，無影像烙印等問題，其獨(dú)特的高亮度特性應(yīng)用于投影顯示，如微投影（Pico ProjecTIon）、頭戴式光學(xué)透視顯示器（See-through HMD）、抬頭顯示器（Head-up Display，HUD）等等，更有競(jìng)爭(zhēng)力。另外，奈秒（Nano Second）等級(jí)的高速響應(yīng)特性使LED除了三維(3)D）顯示外，作為智能顯示器的可視光無線通信功能，可以高速調(diào)變和承載信號(hào)。

Micro LED技術(shù)塬理

Micro LED微顯示器的晶片表面必須像LED像顯示器一樣的陣列結(jié)構(gòu)，每個(gè)點(diǎn)畫素（Pixel）必須由定址控制，并由單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮。如果通過互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）電路驅(qū)動(dòng)是主動(dòng)定位驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，Micro LED陣列晶片與CMOS通過封裝技術(shù)，如覆晶封裝（Flip Chip Bonding）形成電性連接。Micro LED通過整合微透鏡陣列（Microlens Array），提高亮度和對(duì)比度。Micro LED微顯示晶片，Micro LED陣列通過垂直交錯(cuò)的正負(fù)格柵電極（P-metal Line N-metal Line）連結(jié)每一顆Micro LED正負(fù)極通過電極線依次通電，通過掃描點(diǎn)亮Micro LED顯示圖像。主動(dòng)驅(qū)動(dòng)顯示器比被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)更節(jié)能，反應(yīng)速度更快。向來是高解析顯示器主流驅(qū)動(dòng)方式。

1 Micro LED被動(dòng)定址陣列架構(gòu)示意和晶片照片

Micro LED迫切需要突破技術(shù)挑戰(zhàn)

Micro LED（《50微米（